PN8366ic器件

PN8366 內置高壓啟動功能，可以在200mS 以內完全啟動；當PN8366 本體溫度太高時，其內置的OTP 保護功能會及時動作，關閉IC，以保護整個係統，溫度下降之後再自動重啟；電路具有輸出短路保護，輸出過流保護，開環保護， VDD 過壓保護等功能，以提高整個係統的可靠性；當反饋腳FB 的分壓電阻開路或短路時，係統都會進入保護狀態；當CS 腳短路（或Rcs 短路）時係統會發生保護並進入Latch 狀態，以確保係統不會被損壞；C1，L2，C2 組成π 性濾波，以改善EMI 性能；PCB LAYOUT

PCB 為(wei) 普通單麵板工藝，雙麵元器件，銅厚1OZ，基材為(wei) FR-4。PCB 長40.8mm，寬31mm，厚1mm。

PN8366產(chan) 品描述：
PN8366集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 7008366H 800V)，用於(yu) 高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nei) 置電源。PN8366為(wei) 原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nei) 置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小於(yu) 30mW。在恒壓模式，采用準諧振與(yu) 多模式技術提高效率並消除音頻噪聲，使得係統滿足6級能效標準，可調輸出線補償(chang) 功能能使係統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了極為(wei) 全麵的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

PN8366產(chan) 品特點：
內(nei) 置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
內(nei) 置高壓啟動電路，小於(yu) 30mW空載損耗（230VAC）
采用準諧振與(yu) 多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
全電壓輸入範圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補償(chang) 外部可調
無需額外補償(chang) 電容
無音頻噪聲
智能保護功能
過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
CS開/短路保護 (CS O/SP）
開環保護 (OLP)

PN8366廣泛應用於(yu) ：
開關(guan) 電源適配器
電池充電器
機頂盒電源

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