PN8161電源ic的作用

PN8161通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調製技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓範圍下的優秀效率。頻率調製技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現，驪微電子代理的PN8161廣泛被應用於充電器、適配器、開放式開關電源等領域。

PN8161高性能準諧振交直流轉換芯片內(nei) 部集成了準諧振工作的電流模式控製器和功率MOSFET，專(zhuan) 用於(yu) 高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關(guan) 電源。該芯片提供了極為(wei) 全麵和性能優(you) 異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。

穀底開通
PN8161是一款工作於(yu) 準諧振模式的集成芯片，通過DMG檢測到的消磁信號實現精確穀底開
通，以提高係統的轉換效率。在PWM模式，由第一穀底產(chan) 生開啟信號，工作頻率由係統設計的變壓器參數決(jue) 定，高工作頻率限製在125kHz。
過溫保護
功率MOSFET和控製芯片集成在一起，使得控製電路更易於(yu) 檢測MOSFET的溫度。當溫度超
145℃，芯片進入過溫保護狀態。
降頻工作模式
PN8161提供降頻工作模式，通過檢測FB腳電壓，在輕載和空載條件下降低開關(guan) 頻率以提高輕載效率。當FB腳電壓小於(yu) V FB_PFM ，芯片進入降頻工作模式，開關(guan) 頻率隨負載降低而降低，直至小頻率25kHz。

軟啟動
啟動階段，漏極的大峰值電流限製逐步的提高；可以大大減小器件的應力，防止變壓器飽和。軟啟動時間典型值為(wei) 3.2ms。
輸出驅動
PN8161采用優(you) 化的圖騰柱結構驅動技術，通過合理的輸出驅動能力以及死區時間，得到較好的EMI特性和較低損耗。
PN8161功能描述:
啟動：
在啟動階段，內(nei) 部高壓啟動管提供1mA電流對外部V DD 電容進行充電。當V DD 電壓達到 VDDon ，芯片開始工作；高壓啟動管停止對V DD 電容充電。啟動過程結束後，變壓器輔助繞組對V DD 電容提供能量。

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